无线电电子学论文_硅溶胶抛光液对硅单晶抛光片

文章目录

0 引言

1 实验

2 实验结果及讨论

2.1 粗抛光液对粗抛光片表面的影响

2.2 精抛光液对精抛光片表面的影响

3 结论

文章摘要:硅抛光片表面质量除了受抛光工艺参数影响外,在很大程度上还受抛光液的影响。通过检测表面Haze值和粗糙度,研究硅抛光片表面形貌,分析不同抛光液对抛光片表面质量的影响,确定不同抛光阶段对抛光液的要求。研究结果表明粗抛光过程是以化学腐蚀为主导的化学机械平衡过程,与pH值联系紧密,与起机械摩擦作用的硅溶胶中SiO₂颗粒平均粒径及分布关系不大。要想获得原子级平坦的表面,精抛光液的作用非常重要,pH值对精抛光片表面的影响非常明显,必须严格控制在合理范围。如果腐蚀作用过大,则会增大表面Haze值和粗糙度;如果机械作用过大,则会在表面出现犁沟。

文章关键词:

论文DOI:10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.10.009

论文分类号:TN305.2

文章来源：《腐蚀科学与防护技术》 网址: http://www.fskxyfhjszz.cn/qikandaodu/2021/1001/951.html